VPO-300 HV 高真空真空工藝爐，適用於300 x 300mm的基板尺寸，最高溫度可達1000°C。

燈加熱快速熱退火RTA和快速熱處理RTP設備使用燈加熱，以便快速升溫和降溫半導體晶圓。因此，該設備主要用於需要將基板在短時間內升溫到特定溫度的應用。高升溫速率使整個工藝時間短，保持晶圓的熱預算（即晶圓暴露於高溫的總時間）較低。由於加熱器的設計，這些RTA和RTP工具主要用於單晶圓處理。晶圓必須逐一處理。這與其他批次熱處理過程（使用垂直爐和水平爐）不同，因為無論如何，處理時間都非常短。然而，晶圓處理在工藝時間中占了相當大的比重。
VPO-300-HV是一個冷壁爐。

UniTemp RTP爐提供獨特的上下交叉燈陣列配置。溫度分布工具提供優異且無與倫比的溫度均勻性，確保工藝的重復性。

應用：

適用於最大300毫米晶圓或300 x 300mm基板。
通過腔室壁可以引導不同的通孔，如光學測量工具窗口，熱電偶通孔，氣體進口等。 由於快速達到10E-3 hPa的真空，工藝周期非常短。

以下是最可行的應用：

適用於使用其他污染工藝的工藝，以及所有其他RTP / RTA爐的應用，例如：

• 退火工藝
• 快速熱處理工藝
• SiAu、SiAl、SiMo合金化
• 低k介電層
• 後注入退火

腔室：

• 腔室尺寸：350 x 350 x 50mm
• 加載區域：300 x 300mm
• 腔室高度：50mm（選配：腔室高度100mm，帶有85mm x 25mm的觀察窗口）
• 選配：延伸開口高度：200mm至300mm
• 腔壁：鋁質抛光，易於清潔（選配：不銹鋼）

加載：

• 蓋子垂直打開和關閉
• 可直接或遠程控制，根據需求進行自動應用（SPS，機器人等）。

加熱：

• 底部加熱：紅外線燈交叉 21千瓦
• 上部加熱：紅外線燈交叉 21千瓦（可選擇）

冷卻：

• 腔室：氮氣

工藝控制：

• 控制：帶有7寸觸摸面板的SIMATIC SPS
• 可存儲50個程序，每個程序有50個步驟

工藝氣體：

• 標配1個5 nlm（標準升/分鐘）質量流量控制器
• 可選：最多3條氣體管道（氮氣、氬氣、氦氣、氧氣，可選氫氣）

真空：

• 涡輪分子泵，真空閥和測量儀器包含在內 可達10E-6 hPa的真空。
• 可選作前級泵：
• MP（膜泵）
• RVP（旋轉翼泵）：10E-3 hPa。真空傳感器達到10E-3 hPa
• 其他泵根據需求

連接：

• 電源2 x（400/230V，21千瓦）
• 真空連接器：KF 16/25
• 排氣：KF16後部
• 氣體管道：Swagelok 6mm 壓縮接頭
• 冷卻水供應：10mm/12mm
• 壓縮乾燥空氣（CDA），6mm外徑，5 - 6巴

尺寸/重量：

• 尺寸：540 x 690 x 890mm（寬 x 深 x 高）
• 重量：約145kg