RTP-100-HV-EP（高真空）前置式 高真空適用的快速熱處理爐，具有高達200 K/sec的升溫速率。

產品特色：

• 良好的溫度均勻性。
• 精確控制的升溫速率和快速的降溫速率。
• 快速的工藝週期。
• 有效的氣體控制。
• 桌上型系統，佔用空間小。

帶有前置抽屜的多用途桌面裝置，適用於以下應用：

• 各種半導體工藝的優秀工具。
• 實施新的半導體工藝。
• 原型研究。
• 質量控制。
• 退火。
• 快速熱工藝。
• SiAu、SiAl、SiMo合金化。
• 低k介電層。
• 離子注入後的退火。
• 銅膏燒結。
• 電阻膏燒結。
• 根據需求的其他工藝。

技術數據：

• 適用於最大100 mm（4英寸）的單晶片
• 集成氣體入口和出口
• 1質量流量控制器，5 NLM（=每分鐘標準升）的標準
• 18紅外燈加熱（20千瓦）
• 真空度可達10exp-6 HPA（渦輪分子泵及真空測量在內，不包括前級泵）
• 最高溫度：1200°C
• 溫度控制：熱電偶
• 冷卻方式：水冷式
• 電源：230V/3N/32A
• 材積：504 x 521 x 576  mm (W x H x D)
• 重量：68 kg