RTP-100-EP 前置式 高真空適用的快速熱處理爐,具有高達200 K/sec的升溫速率。
產品特色:
- 良好的溫度均勻性
- 精確控制的升溫速率和快速降溫速率
- 低處理週轉時間
- 舒適的氣體控制
- 桌面系統,佔用空間小
- 各種半導體工藝的優良工具
- 新半導體工藝的實施
- 原型研究
- 品質控制
- 退火
- 快速熱處理
- 退火
- SiAu、SiAl、SiMo合金化
- 低介電常數材料
- 離子注入後的退火
- 銅漿燒結
- 電阻漿料燒結
- 其他需求的工藝
技術數據:
- 單晶片直徑最大可達100毫米(4英寸)
- 處理腔體由石英玻璃製成
- 帶有集成進氣和排氣的氣體進出口
- 1質量流量控制器,5 NLM(=每分鐘標準升)的標準
- 由9盞14 kW的頂部和底部紅外加熱管加熱
- 頂部和底部加熱
- 可真空,可連接外部泵系統,真空度高達10E-3 hPa
- SPS工藝控制器,帶有50個程序,每個程序最多50個步驟(以太網接口),SIMATIC
- 7英寸觸摸屏,便於編程和工藝控制
- 最高溫度1200°C
- 溫度控制:熱電偶
- 冷卻方式:水冷式
- 電源:230V/3N/32A
- 材積:504 x 521 x 576 毫米(寬 x 深 x 高)
- 重量:60 公斤