奈米粒子應用

奈米粒子生成的獨特方法使得純的、尺寸選擇的奈米粒子薄膜能夠被沉積，這樣的方法適用於一系列使用化學合成或自組裝奈米粒子無法實現的應用。利用加速度來調節薄膜密度的額外特性增加了對薄膜的控制層次，進一步擴展了應用的範圍。

合金奈米粒子
高熵合金
核殼粒子
超純、尺寸選擇的粒子
緊密的奈米多孔薄膜

TAS - RF Atom Source
RF原子源

技術

Theris射頻原子源是專為應用於最苛刻的應用而設計的。同軸射頻線圈被優化為將功率傳輸到等離子區域，並且整個線圈的全耦合，確保了均勻的解離和最大的原子通量。支撐組件的構造方式旨在避免從線圈到RF耦合，從而進一步減少功率損失。這些組件也遠離線圈，因此避免了與RF線圈意外接觸的可能性，這在其他設計中更常見。

放電區由高品質材料製造，確保束流的污染最小化。用戶可以通過從一系列不同的端板中選擇來定義最佳的氣體流量。這些板可以進一步定制，以確保對於給定的樣品尺寸、距離和與源的角度，具有最大的均勻性。該源還採用標準的零離子電流配置，使用偏轉板將任何殘留的離子排出束流之外。

RF 原子源

● 氧化物分子束外延（MBE）

● 氮化物分子束外延（MBE）

● 氮化物脈衝雷射沉積（PLD）

● 原子氫清潔
● III-V稀釋氮化物MBE生長

● III-V氧摻雜

● II-VI氮摻雜

中性的原子物種對於高品質化合物材料的生長非常有益。分子氣
體，如氧氣或氮氣，比分解為原子形式的反應性小了許多個數量級。因此，使用分子氧通常需要非常高的溫度和/或延長的氧化
時間來形成氧化物，而對於大多數材料來說，分子氮顯示出極小的反應性。使用解離的物種會使反應性增加許多個數量級。
然而，在等離子過程中生成的離子物種往往具有較高的能量，並且在與正在生長的薄膜碰撞時會產生點缺陷，使許多薄膜無法達到預期的用途。另一方面，原子物種的動能極小，因此可以實現快速的薄膜生長而不會產生缺陷。
射頻原子源用於外延生長應用，其中氧化物和氮化物薄膜的高品質對於過程的成功至關重要，並且已經在許多半導體薄膜生長應用中取得了巨大成功。