Intlvac Nanoquest離子束蝕刻（IBE）平台採用最先進的功能和專有設計，以滿足最新的納米製造需求。憑藉其固有的精度和能夠乾蝕刻任何材料的能力，Nanoquest技術獨特地滿足了對於可重復地去除各種材料的需求，這些材料被設計用於創新的微機電系統（MEMS）、光學、感測、光子、射頻/微波、被動功率元件、生物相容性和記憶裝置中。

Nanoquest II 可以配置為離子束濺射或電子束蒸發，或者兩者兼而有之。同時提供具有旋轉和溫度控制的電動可變角度台。該系統適用於斜視角度沉積（GLAD），用於製造有效介質材料。請與Intlvac聯繫，了解購買專用系統或升級至 GLAD 階段的詳情。

高性能

Intlvac Nanoquest 配備了 150 毫米和 100 毫米晶圓平板，可用於裝載鎖定配置，並配有碳遮罩，用於較小尺寸的晶圓。在直徑 100 毫米範圍內，均勻性為 ± 3%，晶圓對晶圓的重複性為 ± 2%，Nanoquest 是您的加工理想平台。

原子層蝕刻

Nanoquest IBE 直接調節關鍵的等離子蝕刻參數，如離子能量、電流密度和入射角度。Nanoquest IBE 工具被配置來滿足應用需求，無論是遮罩晶圓的高長寬比和選擇性目標，還是多樣化基板的高均勻性平坦化。Nanoquest IBE 技術的最新進展包括脈衝束操作，以應對原子層蝕刻（ALE）發展趨勢。

優勢

● 為無塵室操作而設計

● 裝載鎖腔室實現極低壓力

● 高速真空泵提供快速抽真空

● 冷卻通道提供高效散熱

● 多個觀察窗口，實現完整的過程觀察

**Harvard University實機**

Nanoquest II 離子束蝕刻系統目前在哈佛大學納米尺度系統中心使用。對於他們的需求，該系統用於蝕刻鑽石、矽、二氧化矽、二氧化鈦、石英、玻璃、鋰鈮酸鹽和金屬，使用單晶片裝載鎖，可處理直徑為 4 英寸和 6 英寸的晶圓。