Picosun的ALD技術使3D集成矽的微型電容器具有空前的性能
原子層沉積ALD的薄膜塗層技術解決方案的專家—Picosun，在技術報告中指出，使用ALD技術製造的矽集成的三維深溝槽微電容器，創下了新紀錄。
便攜式和可穿戴電子產品對效率和性能的要求不斷提高，以及根據摩爾定律的尺寸不斷縮小，這些設備的電源管理也面臨著新的挑戰。一種解決方案是將設備的關鍵組件進一步集成到所謂的SiP（系統級封裝）或SoC（系統級芯片）架構中，其中所有組件，諸如電池或電容器之類的能量存儲，都被封裝在一起彼此組裝成一個緊湊的，微型的組件，這需要新穎的技術來提高性能並縮小能量存儲單元的尺寸。三維、高深寬比和大表面積深溝槽微電容器，其中超薄交替的導電和絕緣材料層形成能量存儲結構，Picosun的ALD技術現已實現了這些3D微電容器的空前性能。